Ausstattung
Dem Institut für Mikro- und Nanomaterialien der Universität Ulm stehen für Forschungs- und Entwicklungsaufgaben modernste Laborausrüstungen zur Verfügung. Die Ausstattung erlaubt die Präparation von Werkstoffproben, deren Analyse und die Herstellung von Legierungen. Innerhalb von Verbund-Projekten kommt diese vielfältige Gerätetechnik auch den Partnern zugute. Eine Auswahl der Ausrüstungen ist nachfolgend aufgelistet:
Probenherstellung
- UHV-Aufdampfanlage zur Herstellung dünner Schichten
- Sputteranlagen (DC, RF) zur Herstellung von Dünnschichten und Multilagen
- CVR-Reaktor zur Herstellung nanokristalliner Oxide
- HF-CVD zur Beschichtung mit nanokristallinem Diamant
- RIE-Analage zum Ätzen
- Aufschmelz- und Gießtechnik zur Herstellung von Legierungen
Probenanalyse
- Röntgendiffraktometer zur mikrostrukturellen Analyse (XRD)
- Texturgoniometer für Stress- und Spannungsanalyse sowie Bestimmung der Orientierungsverteilungsfunktion (XRD)
- Hochauflösendes Rasterelektronenmikroskop (REM, Zeiss Leo 1540)
- Röntgenfluoreszenzspektrometer (XRF)
- Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS)
- Rastersondenmikroskopie (SPM) mit non-contact/tapping mode-AFM und MFM
- Ultraschall-Mikroskop, z.Zt. 20-150 MHz
- Nanoindenter zur Härteprüfung an dünnen Schichten
- Picoindenter Hysitron für ortsaufgelöste Härte- und Scratchtests
- Laserakustischer Meßplatz zur Bestimmung elastischer Materialeigenschaften
- Thermomechanischer Meßplatz (Dynamisch-mechanische Analyse)
- Kalorimetrischer Meßplatz (Dynamische Differenz-Kalorimetrie DSC, Hochtemperatur-Kalorimetrie und -gravimetrie)
- Mechanische und optische Profilometrie
- Meßplatz zur Bestimmung mechanischer Eigenspannungen dünner Schichten
- Vibrationsmagnetometer (Foner-Typ, Lake Shore)
- Kerr-Mikroskop mit Hardware-Echtzeit-Bildverarbeitung (Hamatsu Argus)
- Magneto-optischer Kerr-Effekt Messplatz
- Magnetowiderstands-Messplatz (GMR, AMR)
- Fourier-Transformations-IR-Spektrometer (FT-IR)
- Vier-Spitzen-Meßplatz zur Bestimmung des spezifischen elektrischen Widerstandes an dünnen Schichten
