Abteilungsbericht 1998 der Abteilung Festkörperphysik der Universität Ulm

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Übersicht der Geräte

 

Bezeichnung

Kombiniert mit

Besonderheit

Kap.
       
UHV-"Cluster"

3-Kammer-System mit Transferstäben und Schleuse

· STM

· TDS

· LEED

· UPS

· Auger

· Probenpräparation durch:

Aufdampfen (Elektronenstrahl)

RF-Magnetron Sputtern

Eigenbau, Proben- und Spitzenwechsel in situ, Austausch gegen AFM in situ möglich.

fokussierte Elektronenstoßheizung; ‚lernbare‘ Temperatur-Rampen.

I.C.3
Rauheitsmessung/Talystep

Nomarsky-Mikroskop

Poliermaschine unter Flow-Box im Reinraum (Klasse 100) für z.B. Saphir-Substrate. Poliermittel: Aerosil Spezialisierung auf harte Einkristalle I.A.1
Au-Draht Bonder (Fa. Hibond)     II.B
Aufdampfapparaturen Elektronenstrahlverdampfer und thermischer Verdampfer wahlweise Mehrfachschichten möglich, max. 5 verschiedene Tiegel  
SQUID-Magnetometer

(Fa. Quantum Design)

Transport-Messungen im Magnetfeld Bewegte Probe, maximales Feld: 5.5 T I.B.1 I.D.3
SQUID-Magnetometer UHV Eigenbau, ruhende bzw. ausklappbare Probe I.D.3
Transport-Meßplatz

(Fa. Oxford)

5T-Magnet mit Kryostat (1-300K) Variable Probenorientierung zum Magnetfeld I.D.3
Kryostat für abschreckende Kondensation in situ Widerstandsmessung Drehrohrofen, Meßtemperatur 1K - 300 K I.B.2
Kryostat für abschreckende Kondensation in situ Thermokraft-Messung Dynamisches Meßverfahren I.D.2
RHEED (Fa. Siemens)   60 keV, "stand alone"- Apparatur I.A.1
Laue-Kamera   Bilderfassung mit eigenentwickelter Auswertesoftware  
Röntgen-Diffraktometer

(Fa. Philips) mit Euler-Wiege

JCPDS-Datei   I.D.2
UHV-Dual-Beam Sputteranlage

2-Kammer-System mit

Transferstab und Schleuse

· Auger / REELS

· Tiefenprofilierung

· LEED

Probe kann in kaltem (90 K) oder heißem (600°C) Zustand transferiert werden, Ionenbombardement des aufwachsenden Filmes. I.A.2 I.B.1
Rf-Sputteranlage

(Fa. Leybold)

     
Laserablation mit Excimer laser (l = 193nm oder 248nm) · HV Kammer (für Oxide)

· UHV Kammer (für Metalle)

Variation der Substrattemperaturen, in situ Widerstandsmessung, Heizung über CO2-Laser I.E
Hall-Meßplatz   Für hochohmige Proben bei hohen Temperaturen < 1000°C I.A.1
Spitzenmeßplatz für elektrische Leitfähigkeit   Für hochohmige Proben, Temperaturen < 400°C I.A.1
STM an Luft   Eigenbau II.A
AFM an Luft   Eigenbau mit ‘Lichtzeiger’und 4 Quadrantendetektor II.A
Mikrowellen-CVD-Apparatur zur Herstellung von Diamantfilmen
  • · gepulst oder cw-Generator

    · optisches Spektrometer zur Plasmaanalyse

  •   I.A.1
    Mechano-chemische ‘Super’-Politur von Diamant Konventionelle Vorpolitur   I.A.1
    Implanter 350 kV · AC-Suszeptibilität

    · UHV-ATR

    · UHV-RBS (700 keV He++)

    · Elektronenbeugung 80 keV

  • · Bestimmung supraleitender Kenngrößen
  • Mehrere Strahlrohre. Erlauben Standardbestrahlung unter HV bei RT, sowie spezielle Experimente bei Temperaturen im Bereich 4.2 K - 900 K unter HV- oder UHV-Bedingungen. Breites Spektrum möglicher Projektile. III
    UHV-Aufdampfanlage (MBE) RHEED während des Wachstums

    im Reinraum

     
    UHV-Sputteranlage (2 Kammer-System mit Schleuse) DC- und RF-Sputterquellen

    im Reinraum

     
    UHV-STM mit Schleuse

    (Fa. RHK)

     

    im Reinraum

     
    Ionenätzer (Æ 3 cm Kanone)   für alle User des Reinraums zugänglich  
    Konfokale Mikroskopie

    (Fa. Reichert)

    Hellfeld, Dunkelfeld, DLC, Realtime konfokal für alle User des Reinraums zugänglich II.B
    REM JSM6300 (Fa. JEOL) Elektronenstrahllithographie (Proxywriter 30kV, Fa. Raith) für alle User des Reinraums zugänglich II.B
    Maskaligner (Fa. Süss)   für alle User des Reinraums zugänglich II.B
    Röntgenanlage LLL-Interferometer

    energiedispersive Streueinrichtung

    zeitaufgelöste Interferenzexperimente  
    Mößbauer g -Diffraktometer I Mößbauer Hochgeschwindigkeits-

    antrieb (v £ 1000mm/sec)

    Energieanalyse der Streustrahlung. Energieüberträge 10 neV < dE < 48 m eV IV
    Mößbauer g -Diffraktometer II Mößbauerantrieb und Meßkanal

    für zeitaufgelöste Experimente

    Quantenschwebungen bei inelastischer Streuung IV