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Herstellung und
Charakterisierung metallischer Nanozylinder in vorstrukturierten Nanolöchern
in Silizium
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Allgemeine
Kurzinformation zum Thema:
Neueste Entwicklungen
im Bereich unkonventioneller Lithographie auf der Basis von nanostrukturierten
Masken (SFB 569, Ulm) erlauben es mittlerweile, nanoskalige Löcher
(Durchmesser 10-30 nm, Länge 100-300 nm) in regelmäßiger
Anordnung in Silizium herzustellen (siehe Abbildung). Diese Löcher
sollen im Rahmen der Diplomarbeit durch Abscheiden unterschiedlicher
Metalle (z.B. nass-chemisch oder mittels Laserablation) als Einzelschicht
oder Vielfachschicht aufgefüllt werden und ihre Eigenschaften
hinsichtlich magnetischer Datenspeicherung bzw. magnetischer Sensorik
(unter Ausnützung des Riesenmagnetowiderstandes, "GMR")
ausgelotet werden.
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Aufgabenstellung:
Lochmasken mit
wohldefiniertem Lochdurchmesser und -abstand sollen in einem ersten
Schritt unter UHV-Bedingungen mit Kobalt bzw. Kupfer in definierter
Weise z.B. durch Laserablation aufgefüllt werden. Zur Erzielung
kompakter Schichten müssen zunächst Depositionsparameter
wie Laserpulsleistung und Substrattemperatur optimiert werden, was
den Einsatz von Röntgendiffraktometrie (XRD) zur strukturellen
Charakterisierung sowie abbildende Analysemethoden wie Rasterelektronenmikroskopie
(SEM) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM, in Kollaboration
mit anderen Gruppen) beinhaltet. Die entstandenen "Nanozylinder"
werden weiterhin mittels SQUID-Magnetometrie (im Falle von Kobalt)
bzw. mittels Transportmessungen (Kobalt, Kupfer) charakterisiert,
wobei Elektroden zur Kontaktierung durch Einsatz konventioneller
Lithographie hergestellt werden sollen. Nach Studium des Verhaltens
von Einzelschichten sollen Co/Cu/Co Vielfachschichten präpariert
werden und ihr Einsatz als GMR-Sensor in CPP-Geometrie (Current
Perpendicular to Plane) getestet werden.
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Angewandte
Techniken:
Die Kandidatin/der
Kandidat wird im Rahmen diese Diplomarbeit eine Vielzahl von modernen
Präparations- bzw. Analysemethoden erlernen wie z.B. Pulsed
Laser Deposition (PLD) unter Ultrahochvakuum (UHV)-Bedingungen,
optische bzw. Elektronenstrahl-Lithographie, Röntgendiffraktometrie
(XRD), Rasterelektronenmikroskopie (SEM), Photoelektronenspektroskopie
(XPS), SQUID-Magnetometrie, Transportmessungen in einem 5T-Magnet
(4-300K).
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