MOS Halbleitertechnik - ENGB 5003

Vorkenntnisse

 

Vorlesung: Grundlagen der Halbleiterbauelemente

 

 

Lernergebnisse

    Die Ziele der Vorlesung MOS-Halbleitertechnologie bestehen darin, dass die Studenten  ausführlich alle grundlegenden technologischen Prozesse benennen können, die für die Herstellung von MOS-Transistoren erforderlich sind. Die Studenten erkennen wie MOS-Transistoren aufgebaut sind und auf welchen physikalischen Prinzipien deren Wirkungsweise beruht. Dadurch werden sie befähigt Transistorkennlinien zu interpretieren und die Kontakt- und Halbleitereigenschaften zu charakterisieren. Verschiedene Herstellungstechnologien (n-MOS, CMOS) und grundlegende Anwendungen von MOS-Transistoren (Schalter, Inverter) werden beschrieben. Abschließend erkennen die Studenten, welche Probleme die Miniaturisierung der Transistoren in technologischer- und physikalischer Hinsicht hervorruft und wie diese Probleme gelöst werden können

     

     

    Inhalt

     

    -         -   Grundlagen der Silizium-Halbleitertechnologie

    -         -  Aufbau von MOSFETs

    -         -  Funktionsweise von MOSFETs

    -         -  Grundlegende Anwendungen von MOSFETs

     

     

     

    Verantwortlich

    Dr. Wolfgang Ebert  

    Wann & Wo

    Start Wintersemester

    Vorlesung: Di  10-12 Uhr Raum 45.2.102

    Übung:      Mi  10-12 Uhr Raum 45.2.102

    Umfang / Credits

    SWS:             3V+1Ü

    Credit Points:  6

    Sprache

    Deutsch