Praktikum Halbleitertechnologie - ENGB 7011

Vorkenntnisse

 

Vorlesung „MOS-Halbleitertechnik“ oder „Modern Semiconductor Devices“

 

 

Lernergebnisse

 

Nach der erfolgreichen Absolvierung des Halbleitertechnologie-Praktikums sind die Teilnehmer praktisch befähigt unter Reinraumbedingungen zu experimentieren und dabei komplexe Anlagen der Halbleitertechnologie zu bedienen.Zunächst modifizieren die Teilnehmer/innen dotierte GaAs-Wafer durch thermische Abscheidung von Metallen wie Gold und Aluminium um anschließend unter Verwendung dieser dünnen Metallschichten mittels Kontaklithografie mikrostrukturierte Metallkontakte zu generieren.Bei der elektrische Charakterisierung der, mittels dieser Kontakte, hergestellten Teststrukturen, Dioden und Transistoren analysieren die Studenten, wie sich äußere (Geometrie) - und innere  Einflussgrößen (Dotierung, intrinsische Widerstände, Idealitätsfaktor) auf die Kennlinien der Bauelemente auswirken.

 

Inhalt

 

  • Durchführen von grundlegenden Prozesstechniken Halbleitertechnologie
  • Charakterisierung von dotierten Halbleitern
  • Elektrische Charakterisierung von Kontakten, Schottky-Dioden und MESFETs

Bei mehr als 16 Bewerbungen werden im Wintersemester die ET-Studierenden- und im Sommersemester die CT-Studierenden bevorzugt.

Für die Bewerbung (Mail) sind folgende Angaben erforderlich:

- Name

- Mat. Nr.

- Studienrichtung (ET, CT, Physik,..)

- sind die o.g. Vorkenntnisse vorhanden

- optional: Zeiträume an denen eine Teilnahme nicht möglich ist

 

 

Verantwortlich

Dr. Wolfgang Ebert

Wann & Wo

Start:  Februar/März/April in der vorlesungsfreien Zeit (nach Vereinbarung)

Registrierung: vom 01.02.-12.02.

per Email an: wolfgang.ebert(at)uni-ulm.de

Raum: 45.1.251

Dieses Praktikum wird an 5 aufeinanderfolgenden Tagen durchgeführt

Umfang / Credits

Umfang: 4SWS

Credits:  5

Sprache

Deutsch oder Englisch