GaN-Gruppe

Die GaN-Gruppe beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von Gruppe-(III)-Nitriden, insbesondere mit dem Wachstum dicker GaN-Schichten mittels HVPE, der Epitaxie mittels MOVPE von semi- und nonpolaren Heterostrukturen und der Realisierung von Leucht- sowie Laserdioden im UV- bis grünen Spektralbereich.

Sensor-Workshop 08.12.2016

Aktuelle Forschungsbereiche

Radio-Interview SWR 4 am 21.12.2015

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