AlBGaN für Lichtemitter im ultravioletten Spektralbereich

In unseren aktuellen Forschungsarbeiten wollen wir uns dem ultravioletten Spektralbereich (l~270 nm, UV-C) widmen, der neben anderen Anwendungen für die Sterilisation bzw. Desinfektion von Luft und Wasser von steigendem Interesse ist. Hierfür sind AlGaN-Heterostrukturen auf AlN-(Quasi)-Substraten erforderlich. Ein wesentliches Problem in solchen Strukturen ist nach wie vor die vergleichsweise hohe Defektdichte, die zum Teil auch durch die recht großen Gitterkonstanten-Unterschiede der Einzelschichten und die sich daraus ergebenden Verspannungen verursacht wird. Wir wollen deshalb untersuchen, wie weit durch die Herstellung von Bor-legierten Schichten und Heterostrukturen diese Problematik trotz der recht geringen Löslichkeit von Bor in AlGaN reduziert werden kann. Zudem sind viele fundamentale Eigenschaften dieses Materialsystems wie Bandlücke als Funktion der Komposition, Hetero-Offset, Donator- und Akzeptor-Energien wenig bekannt. Durch Messungen mit gut aufeinander abgestimmter Methodik an eigenen Schichten möchten wir einige dieser Fragen klären. Diese Arbeiten erfolgen in enger Kooperation mit apl. Prof. K. Thonke (Physik/Quantenmaterie, optische Spektroskopie) und Prof. Dr. Ute Kaiser (Transmissionselektronenmikroskopie).

Kontakt

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