Hydrid-Gasphasenepitaxie von GaN

Die Hydrid-Gasphasenepitaxie zeichnet sich durch vergleichsweise große Wachstumsraten von einigen 100 µm/h aus. Hiermit lassen sich deshalb recht einfach GaN-Schichten von Dicken im mm-Bereich abscheiden. Unsere aktuellen Forschungen haben zum Ziel, die Qualität solcher dicken Schichten zu steigern und Fragen zur Dotierung zu klären. Neben Untersuchungen zu konventionell in c-Richtung orientierten Schichten beschäftigen wir uns auch mit semipolaren Wachstumsrichtungen.

Thick HVPE grown GaN layer with mirror-like surface
Goals: obtain freestanding GaN

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M. Klein, T. Meisch, F. Lipski and F. Scholz;
The influence of prestrained metalorganic vapor phase epitaxial gallium-nitride templates on hydride vapor phase epitaxial growthApplied Physics Letter 105, 092109-1-4 (2014) (link)

Ferdinand Scholz, Peter Brückner, Frank Habel, Matthias Peter, Klaus Köhler; Improved GaN layer morphology by hydride vapor phase epitaxy on misoriented Al2O3 wafers; Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 181902.

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