Die Hydrid-Gasphasenepitaxie zeichnet sich durch vergleichsweise große Wachstumsraten von einigen 100 µm/h aus. Hiermit lassen sich deshalb recht einfach GaN-Schichten von Dicken im mm-Bereich abscheiden. Unsere aktuellen Forschungen haben zum Ziel, die Qualität solcher dicken Schichten zu steigern und Fragen zur Dotierung zu klären. Neben Untersuchungen zu konventionell in c-Richtung orientierten Schichten beschäftigen wir uns auch mit semipolaren Wachstumsrichtungen.