GaN-Gruppe

Die GaN-Gruppe beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von Gruppe-(III)-Nitriden, insbesondere mit dem Wachstum dicker GaN-Schichten mittels HVPE, der Epitaxie mittels MOVPE von semi- und nonpolaren Heterostrukturen und der Realisierung von Leucht- sowie Laserdioden im UV- bis grünen Spektralbereich.

Aktuelle Forschungsbereiche

Mitglieder

Gruppenleiter:

Prof. Dr. Ferdinand Scholz

Techniker:

Ilona Schwaiger (momentan in Elternzeit)
Thomas Zwosta

Wissenschaftliche Mitarbeiter:

Oliver Rettig
Martin Schneidereit
Jan-Patrick Scholz
Jassim Bin Shahbaz