Die GaN-Gruppe beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von Gruppe-III-Nitriden, insbesondere mit dem Wachstum dicker GaN-Schichten mittels HVPE, der Epitaxie mittels MOVPE von GaInN-AlGaN-Heterostrukturen für Anwendungen in der Optoelektronik, Elektronik und Sensorik.

Aktuelle Forschungsbereiche

Gruppenleiter:

Prof. Dr. Ferdinand Scholz

Techniker:

Ilona Schwaiger (momentan in Elternzeit)
Thomas Zwosta

Wissenschaftliche Mitarbeiter:

Jan-Patrick Scholz
Jassim Bin Shahbaz

(Martin Schneidereit)