GaN-Gruppe

Die GaN-Gruppe beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von Gruppe-III-Nitriden, insbesondere mit dem Wachstum dicker GaN-Schichten mittels HVPE, der Epitaxie mittels MOVPE von GaInN-AlGaN-Heterostrukturen für Anwendungen in der Optoelektronik, Elektronik und Sensorik.

Aktuelle Forschungsbereiche

Kontakt

  • Ferdinand Scholz
  • Institut für Funktionelle Nanosysteme
  • Albert-Einstein-Allee 45
  • 89081 Ulm
  • Raum: 45.4.204
  • Telefon: (0731) 50-26052
  • Telefax: (0731) 50-26049