GaN-Gruppe
Die GaN-Gruppe beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von Gruppe-(III)-Nitriden, insbesondere mit dem Wachstum dicker GaN-Schichten mittels HVPE, der Epitaxie mittels MOVPE von semi- und nonpolaren Heterostrukturen und der Realisierung von Leucht- sowie Laserdioden im UV- bis grünen Spektralbereich.
Sensor-Workshop 08.12.2016
Mitglieder
Gruppenleiter:
Techniker:
Ilona Schwaiger (momentan in Elternzeit)
Thomas Zwosta
Wissenschaftliche Mitarbeiter:
Oliver Rettig
Martin Schneidereit
Jan-Patrick Scholz
Jassim Bin Shahbaz
Kontakt
- Ferdinand Scholz
- Institut für Funktionelle Nanosysteme
- Albert-Einstein-Allee 45
- 89081 Ulm
- Raum: 45.4.204
- Telefon: (0731) 50-26052
- Telefax: (0731) 50-26049