Wir erforschen die Möglichkeit, vertikale Feldeffekt-Transistoren auf der Basis von GaN (nach dem CAVET-Prinzip, s.u.) herzustellen. Eine wesentliche Herausforderung bei diesem Bauelement-Konzept ist die Realisierung einer so-genannten Strom-Apertur-Schicht, d.h. einer Schicht im Bauelement, durch die der Strom nur an einer lokal wohldefinierten Stelle fließen kann. Eine solche Schicht lässt sich z. B. durch selektive Epitaxie einer Mg-dotierten GaN-Schicht realisieren. Der Isolationscharakter lässt sich durch I-V-Messungen an Mesastrukturen messen.

Zur Realisierung der Stromapertur muss diese Schicht lokal unterbrochen werden. Dies kann durch Lithographie und Trockenätzen, alternativ durch selektive Epitaxie erreicht werden.

Schließlich sollen mit unserem Kooperationspartner, dem Fraunhofer-Institut für Festkörperphysik (Freiburg) komplette Bauelemente hergestellt und charakterisiert werden.

Current-Aperture Vertical Electron Transistor (CAVET)
(from S. Chowdhury et al., Semicond. Sci. Technol. 28 (2013) 074014).

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