Abschlussarbeiten

Im Institut werden kontinuierlich offene Stellen für Bachelor- und Masterarbeiten angeboten. Bitte nehmen Sie bei Interesse Kontakt mit den einzelnen Gruppenleitern oder wissenschaftlichen Mitarbeitern auf.

Bachelorarbeiten

Herstellung von dicken GaN-Schichten mit geringer Defektdichte

Zur Reduzierung der Defektdichte in GaN-Epitaxieschichten haben wir vor einigen Jahren eine Methode etabliert, die auf dem Verfahren des "Epitaxial Lateral Overgrowth" basiert. Hierbei wird eine defektreiceh GaN-Startschicht mit einer SiO2-Schicht maskiert, in die geeignete Öffnungen geätzt werden. In einem zweiten Epitaxieprozess wächst das GaN aus diesen Öffnungen heraus und anschließend lateral über die maskierten Flächen. Dabei entsteht eine sehr defektarme Schicht. Dieses Verfahren wollen wir aufgreifen und mit Hilfe eines weiteren Epitaxieschritts sehr dicke defektarme GaN-Schichten erzeugen.

Der/die Studierende soll bei der Optimierung dieses Prozesses mitarbeiten, vor allem bei der Herstellung der Maskenstrukturen mittels optischer Lithographie, Assistenz bei der Epitaxie sowie Charakterisierung der Schichten mittels Raster-Elektronen-Mikroskopie, Rasterkraft-Mikroskopie, Röntgendiffraktometrie und Photolumineszenz.

Betreuer: Jan-Patrick Scholz

Masterarbeiten

Wachstum freistehender HVPE-Schichten

Für die Herstellung von GaN-basierenden Hochleistungs-LEDs, -HEMTs usw. werden defektarme Ausgangssubstrate benötigt. Eine Möglichkeit, solche Substrate herzustellen, ist mittels Hydridgasphasenepitaxie (hydride vapor phase epitaxy, HVPE).

Ziel der Arbeit ist die Abscheidung dicker, defektarmer, freistehender Galliumnitrid-Schichten durch Weiterentwicklung der Template-Epitaxie mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie und des HVPE-Prozesses.

Wachstum von HEMTs auf isolierender GaN:Mg-Schicht

High-Elektron-Mobility-Transistors (HEMTs) bilden heute die Grundlage vieler moderner elektronischen Hochfrequenz-Hochleistungs-Schaltungen. Im Rahmen der Forschung von Jan-Patrick Scholz, wird ein neuartiger vertikaler HEMT-Aufbau untersucht, um höhere Leistungsdichten zu erreichen.

Ziel der Arbeit ist die Untersuchung, wie sich eine dünne Magnesium-dotierte Galliumnitrid-Schicht auf eine darauf abgeschiedene HEMT-Struktur auswirkt. Eine solche dotierte Schicht ist im endgültigen Bauelement erforderlich, um den vertikalen Strom lokal blockieren zu können (Current-Blocking-Layer).