Abschlussarbeiten

Im Institut werden kontinuierlich offene Stellen für Bachelor- und Masterarbeiten angeboten. Bitte nehmen Sie bei Interesse Kontakt mit den einzelnen Gruppenleitern oder wissenschaftlichen Mitarbeitern auf.

Bachelorarbeiten

Optimierung einer Defekt-reduzierender SiN-Zwischenschicht

Um bei der GaN-Epitaxie auftretende Defekte (Durchstoßversetzungen „Threading Dislocations“) zu minimieren, wird während des Wachstums eine SiN-Zwischenschicht abgeschieden, an der diese Defekte gestoppt werden sollen.

In dieser Arbeit soll dieser Prozess und das darauf folgende GaN-Wachstum weiter verbessert werden. Zur Beurteilung der Qualität sollen vor allem Rasterelektronenmikroskop, Röntgendiffraktometrie  und Photolumineszens genutzt werden.

Betreut von Oliver Rettig oder Jan-Patrick Scholz.

Design und Aufbau eines Mikrofluidik-Setups in Verbindung mit Photolumineszenz-Messungen an LED-Sensoren (Bachelor- oder Master-Arbeit)

In zahlreichen modernen Sensoranwendungen finden sogenannte mikrofluidische Kanäle Anwendung, bei denen zu messende Flüssigkeiten/gelöste Materialien über die Sensoroberfläche geströmt werden, um in einer kontrollierten Umgebung Aussagen über Sensorantwort und -Empfindlichkeit treffen zu können. 

In dieser Arbeit soll ein entsprechender Aufbau für eine bestehende Sensorapparatur realisiert und im Anschluss Messungen durchgeführt werden. Die Proben werden hierbei eigenständig prozessiert und charakterisiert (Röntgendiffraktometrie, Photoluminseszenz). 

Der Unterschied zwischen Bachelor- und Masterarbeit besteht vor allem im Umfang der Beteiligung und der Selbstständigkeit beim Umbau und der späteren Charakterisierung der Proben.

Betreuer Martin Schneidereit

Masterarbeiten

Wachstum freistehender HVPE-Schichten

Für die Herstellung von GaN-basierenden Hochleistungs-LEDs, -HEMTs usw. werden defektarme Ausgangssubstrate benötigt. Eine Möglichkeit, solche Substrate herzustellen, ist mittels Hydridgasphasenepitaxie (hydride vapor phase epitaxy, HVPE).

Ziel der Arbeit ist die Abscheidung dicker, defektarmer, freistehender Galliumnitrid-Schichten durch Weiterentwicklung der Template-Epitaxie mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie und des HVPE-Prozesses.

Wachstum von HEMTs auf isolierender GaN:Mg-Schicht

High-Elektron-Mobility-Transistors (HEMTs) bilden heute die Grundlage vieler moderner elektronischen Hochfrequenz-Hochleistungs-Schaltungen. Im Rahmen der Forschung von Jan-Patrick Scholz, wird ein neuartiger vertikaler HEMT-Aufbau untersucht, um höhere Leistungsdichten zu erreichen.

Ziel der Arbeit ist die Untersuchung, wie sich eine dünne Magnesium-dotierte Galliumnitrid-Schicht auf eine darauf abgeschiedene HEMT-Struktur auswirkt. Eine solche dotierte Schicht ist im endgültigen Bauelement erforderlich, um den vertikalen Strom lokal blockieren zu können (Current-Blocking-Layer).

Analyse und Charakterisierung von AlBGaN-Mischkristallen

Ziel der Arbeit ist die Herstellung und Charakterisierung von AlBGaN-Mischhalbleitern mit optimierten optoelektronischen Eigenschaften mittels Röntgendiffraktometrie, Rasterkraftmikroskopie und Photolumineszenz-Spektroskopie. Dabei wird eigenständiges praktisches Arbeiten im Reinstraum mit einer Vielzahl an wichtigen Charakterisierungsmöglichkeiten ermöglicht sowie vertieftes Wissen in der Technologie und Physik der Halbleiter vermittelt.